来源:在职研究生招生信息网 发布时间:2023-12-28 10:07:44
一、考试范围及要点
1、半导体的晶格结构和电子状态;
2、杂质和缺陷能级;
3、载流子的统计分布;
4、载流子的散射及电导问题;
5、非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;
6、半导体的表面和界面─包括p-n 结、金属半导体接触、半导体表面及MIS 结构、异质结;
7、半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。
二、考试形式与试卷结构
1、答卷方式:闭卷,笔试
2、答卷时间:180 分钟
3、题型:选择题,填空题,简答题(包含名词解释),论述题
4、各部分内容比例
试卷满分为 150 分,选择题、填空题50 分,简答题(包含名词解释)40 分,论述题60 分
参考书目名称 作者 出版社 版次 年份
半导体物理学 刘恩科,朱秉升,罗晋生 电子工业出版社 2008