2020年华南理工大学非全日制研究生入学考试《半导体物理》考研大纲

来源：在职研究生招生信息网发布时间：2023-11-14 17:19:50

　　考试内容和考试要求

　　1、半导体晶体结构和半导体的结合性质;

　　2、半导体中的电子状态：半导体能带的形成，Ge、Si、GaAs能带结构，有效质量、空穴、杂质和缺陷能级;

　　3、热平衡下半导体载流子的统计分布：状态密度、费米能级、本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应;

　　4、半导体的导电性：半导体导电原理，载流子的漂移运动、迁移率、散射机构，半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律，强电场效应、热载流子，负阻效应;

　　5、非平衡载流子：非平衡载流子与准费米能级，非平衡载流子注入与复合，复合理论，非平衡载流子寿命，爱因斯坦关系，载流子漂移、扩散运动，缺陷效应，连续性方程;

　　6、pn结：平衡与非平衡pn结特点及其能带图，pn结的I-V特性、电容特性、开关特性、击穿特性;

　　7、金属和半导体接触：半导体表面态，表面电场效应，金属与半导体接触特性、MIS结构电容-电压特性，

　　8、半导体异质结：异质结的形成机理、能带图;

　　9、半导体的光学性质及光电效应：半导体的光吸收，半导体光电导，半导体光生伏特效应，半导体发光及半导体激光器;

　　10、半导体热电、磁电及压阻效应：半导体热传导及热电效应，半导体的霍耳效应，半导体的压阻效应。

　　备注

　　选读书目

　　1、《半导体物理学》，刘恩科等编，国防工业出版社。

　　2、《半导体物理学基础教程》，冯文修等编，国防工业出版社

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